关于半导体硅片表面抛光案例解决方案

在摩尔定律驱动下，芯片制程向 3nm 及以下节点突破，12 英寸硅片成为主流，其表面平整度需达到原子级精度（粗糙度 Ra＜0.5nm），总厚度变化（TTV）≤2μm，颗粒污染密度＜1 个 /cm²。传统单一机械抛光（损伤层≥50nm）或化学抛光（全局平坦度误差＞10nm）已无法满足需求，化学机械抛光（CMP）成为实现纳米级全局平坦化的核心工艺，其中抛光液性能直接决定硅片表面质量与制程良率。